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国内外互联网技术差距,国内外互联网技术差距分析

cysgjjcysgjj时间2024-02-29 07:44:01分类互联网技术浏览48
导读:国产芯片与美国芯片的差距在哪儿,最快多久才能赶超?国产芯片与美国芯片的差距在哪儿,最快多久才能赶超?国产芯片可以做到7纳米。设计可以到3纳米。明后年7纳米可量产。5纳米3纳米可能要几年。但问题是7纳米可满足我国百分之95以上工业军工业的需要!不能较全世界(主要是美西方)就差那么一丁点儿就自卑。也不能因我国有54项领先世界(与世界持平相……...
  1. 国产芯片与美国芯片的差距在哪儿,最快多久才能赶超?

国产芯片美国芯片的差距在哪儿,最快多久才能赶超?

国产芯片可以做到7纳米。设计可以到3纳米。明后年7纳米可量产。5纳米3纳米可能要几年。但问题是7纳米可满足我国百分之95以上工业军工业的需要

不能较全世界主要是美西方)就差那么一丁点儿就自卑。也不能因我国有54项领先世界(与世界持平相当的就更多)而自傲。

要实事求是。我们还是发展国家,不能事事都领先世界。就是以后大多数绝大多数领先世界,也还有某些***要靠其它国家。还有我国是安理会常任理事国,有为世界其他国家维持公道,造福帮助第三世界的任务

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凡是吹牛逼祸国殃民的所谓科学家和各类专家全部滚蛋。凡有责任心有担当的国家培养科技人员要有爱国之心向国家向全民立下军令状,保证在短期内研发中国自主品牌的中国航空发动机和中国芯。所有中国科学家有谁敢站出来向国家和人民立下军令状?

这个问题问得好。

国产芯片落后了多少,从一些***就能看出。

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前段时间,英特尔爆出了芯片漏洞,X86和ARM都受到了影响,而我们的龙芯则发表声明表示不受漏洞影响。为什么呢?因为龙芯根本不支持漏洞所需要的技术

同样是前段时间,网上流传着紫光的内存条,一开始的DDR3大家说这是奇梦达当年倒闭时前的最后作品,后来的DDR4被证明用的是海力士的颗粒。而紫光自己到底有没有能力生产出内存颗粒一直是个迷。有的说下半年紫光就能生产出自己的DDR4颗粒,但目前来看紫光高层有波动,能否如期完工还是个问号。

然后就要说说我们Al芯片的骄傲寒武纪了。这个芯片商商很奇怪,他们的***没有任何性能介绍,要知道就算是挖矿用的矿机芯片和顶级的FPGA芯片也都有性能介绍。而衡量Al芯片性能的参数就是半精度计算深度计算能力,这些参数很普通,根本不是什么机密,那么他们为何不展示呢?

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最后,我们的代工业务,中芯国际的核心业务是28nm工艺,14nm正在研制。而英特尔在2009年就成功操作出了同级别的32nm工艺。

我想从这几件事就能看出,我们落后人家至少十年!至于赶超,现在我们要什么没什么,难道要用口号去赶超?如果真能静下心来,十几年的差距也不是那么容易赶上的。我想等到二十一世纪中叶,我们应该能赶上去。

问的好~估计自中兴***以来,中国人都关注这个问题吧。其实,这要分情况看,低端芯片领域我们并不比美国差,不用妄自菲薄;真正存在差距的是高端芯片,特别是IC芯片。

其实芯片行业或者是集成电路行业,整个范围是要比大家想的丰富的多的。芯片并不只有CPU,或者是NPU这些。我们用到的耳机,指纹识别,冰箱,电视,电梯等等都会用到大小不同功能不同的芯片,像电源所用的芯片,目前代工厂就可以满足国内需求

真正存在巨大差距是高端芯片,总体来说就是方面差距:

中国的经济体量巨大,所以我们不缺钱,我们缺的是什么?答案就是人才。首先要设计芯片,设计出来之后交给代工厂生产,设计芯片软件方面中国在世界上的占比为0%,国内目前芯片生产商最好的应该是中芯国际,最好的制程是14纳米,而台积电跟三星今年7纳米就要要量产了。中间差了二代

这主要就是光刻机的问题。光刻机目前美国处于垄断,造价和售价都是很贵的,每年量产不超过30台,国内目前只能购买国外淘汰掉的光刻机,绝大多数来源于日本。而且瓦森纳协议中,每过几年都会更新禁售列表,比如2010年90nm以下的设备都是不允许对中国销售的,到2015年就改成65nm以下的了,即便如此,我们购买二手光刻机还是需要美国的审批。

这方面我们差距其实不是很大,目前IC芯片的衬底都是硅,需要运用电子级硅制造硅碇,再将硅锭精细切割,而中国即使是一些低端的国产率较高的芯片,其中很大一部分野都是买的国外的晶圆,然后自己切割,不过随着国内集成电路的发展,晶圆切割其实已经能慢慢实现了。

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